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第四百一十六章 轨道杂化石墨烯间隙问题（第2页）

但优异的性能背后自然有着缺点。

除了大规模生产石墨烯非常困难且昂贵外，墨烯与氧气和热量（共同）具有很高的反应性。

由于石墨烯具有良好的导热性能，但其本身并不那么稳定，尽管后面科学家找了使用CVD这种可以生产大量的石墨烯方法。

但是无法在有氧环境中稳定存在是石墨烯巨大的缺点，包括韩元制备成的石墨烯单晶晶圆材料。

如果它在高温下与氧气反应，会导致生成氧化石墨烯，该氧化石墨烯会破坏石墨烯本身的性能，直至失去导电性能。

这对于石墨烯材料来说，可以说是一个致命的缺点了。

毕竟如果使用石墨烯制造成碳基芯片的话，不可能不商业化应用。

而商业化应用，你不可能给每一块芯片都配备一个无氧环境或者真空环境。

且不说需要耗费的金钱和资源，就对环境要求度极高的芯片这一块来说，那根本就不实用。

针对这个缺点，各国的专家都在寻找弥补的办法，但迄今为止，依然没有什么稳定有效的弥补方式。

而通过轨道杂化技术，可以有效的弥补这个缺点。

因为杂化后的电子轨道与原来相比在角度分布上更加集中，从而使它在与其他原子的原子轨道成键时重叠的程度更大，形成的共价键更加牢固。

这样一来，通过杂化轨道技术处理后的石墨烯材料将不再惧怕有氧和高温的环境。

当然，杂化轨道技术也不是没有缺点的。

首先，在1931年提出轨道杂化理论后，这项理论和技术过来接近一百年依旧没有完全成熟。

尽管目前的杂化轨道技术已经应用到了各种分子化合物上，甚至已经编写到了初高中化学教材中。

但不可否认的是，无论是理论还是技术，都没有形成自己的闭环。

目前各国研究中的杂化轨道中还只用了能量最接近的价层轨道，比如有机物中的C原子只用它的2s和2p。

可是单纯用两三个轨道根本不满足轨道杂化完备基的要求。

华国是目前在碳基芯片上走的最远的国家，相关的研究人员也并不是没有考虑过使用‘杂化轨道技术’来给碳基芯片提升稳定性。

但很遗憾的是，这项技术在国内甚至在整个世界目前都并不被重视，精通这方面的人极其稀少。

尽管这项技术诞生了两个诺贝尔化学奖，但依旧属于冷门专业。

这可能是诺贝尔奖大喊冤枉的两次吧，毕竟获得了诺贝尔奖的专业，基本上在后续的一些年内都会引起全世界的关注和投资。

但轨道杂化理论并没有，在2010年以前，全世界开设这门专业的学校很少。

少到一个什么程度呢？

大概就是你学了这门专业，然后走到博士阶段的话，你的导师可能就是诺奖大佬或者说是诺奖大佬的弟子了。

嗯，大概就人才稀缺到这个程度了。

不过后面随着重要性的提升，轨道杂化这门课程已经广泛起来了，甚至有些专业，比如分子化学，理论化学还将其设成了必修课。

不过学这玩意的人，还是很少。

不过这也不能怪轨道杂化理论，因为这玩意学起来实在太难了。

初高中阶段还好，着实很简单，只要掌握了VSEPR、泡利不相容原理、洪特规则这几个，会写1s2s2p、三种晶胞就够了。

但到了大学阶段，这玩意的难度性质就像要一个文科生弄懂实变函数+泛函分析+拓扑学+抽象代数一样。

简直让人绝望。

都说数学物理让人掉头发，让人地中海，但你想学懂这玩意，掉头发的速度比你去少林出家还要快。

再加轨道杂化理论不明，目前在学术界几乎是仅仅用来描述几何形状或环境，找工作太难，所以学的人几乎没什么。

除此之外，过分地强调杂化的其他“重要性”，还有一定的可能会对未来学习化学造成不必要的“弯路”。

因此即便是学习化学的人，也很少有辅修轨道杂化理论的。

学习的人少，理论未成熟闭环这是第一点。

第二点则是在第一点下面衍生出来的。

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