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第378章 纳米氧化硅薄膜（第1页）

“cIcc技术偏离hdS，纳米氧化硅薄膜。”潘秋冰说了一句话算是解释，然后不管陈灵婴站在这里接着开始自己刚刚没有做完的事情。

氧化硅是一种轻质纳米多孔非晶材料，由于其独特的微观结构，也就是包含纳米尺度的孔洞与微粒而具有一些优异的性能。

潘秋冰手中的东西就是纳米氧化硅薄膜。

陈灵婴就站在潘秋冰身后一步看着眼前的一群人手中拿着东西和仪器忙碌。

纳米多孔氧化硅薄膜可用作防眩光涂层、高效绝热层、声阻抗耦合材料、低介电常数绝缘层、超高速集成电路基片以及分离薄膜过滤薄膜、催化薄膜等。

因此，在光学、热学、声学、电学和化学等领域具有广阔的应用前景。而对纳米多孔氧化硅薄膜制备及性能表征的研究已成为材料相关领域的热点之一。

但是传统得到氧化硅薄膜都是采用湿法制备，这种方法严重污染环境，不利于环保。

陈灵婴看了好一会儿，才明白潘秋冰站在这里是为了什么。

离子体增强化学气相沉积方法是在完全干态环境中进行的，并且反应温度低，适合大面积制备。

以往的等离子体增强化学气相沉寂方法制备薄膜通常在较低的气压下实现，由于被裂解的粒子能量较高，所以薄膜致密无孔，无法得到真正的多孔膜。

潘秋冰这次过来就是为了解决这个问题。

在接近常压的条件下，采用pEcVd方法，并且在实验中首次引入脉冲负偏压对沉积过程进行调节，通过改变负偏压的占空比，在玻璃片上沉积得到不同性质的多孔氧化硅薄膜。

羲和基地内不仅仅只有羲和计划神光四号的成功点火目标，还有一系列的相关方面的旁支科研目标。

李鸢戾从旁边拿了一把椅子给陈灵婴坐，自己则是眼观鼻鼻观心老神在在站着。

实验才刚刚开始。

或许是因为没有什么事情要做，而且实验刚开始一般也不会出现什么错误的缘故，潘秋冰也找了一把椅子来然后坐在陈灵婴身旁，

“这次的实验采用的是我自行设计的pEcVd装置。”

说到自己擅长的领域的时候潘秋冰眼神很亮，作为四个副指挥中唯一的女性，没有人知道她有多努力，又在背后付出了多少才能走到如今这个程度。

时间，睡眠，健康，甚至是家人。

潘秋冰看着眼前的像一个圆球的真空泵，

“在我的实验计划中，首先用真空泵将反应器中的空气排出，然后将氩气和氢气（体积比95:5）充分混合后通入，使得反应器中压强维持在0.8x10pa附近，在这个时候开启电源，电极间就会产生产生均匀的等离子体。”

陈灵婴一挑眉，这和她那天晚上针对等离子体密度不均时提出的解决办法有异曲同工之妙。

“反应源气体硅烷通过等离子体区域时被裂解，在玻璃基片上沉积得到多孔氧化硅薄膜。为使放电均匀，实验采用平行梳状电极，电极间距5mm左右。为了得到不同的性质薄膜，实验中在沉积区域加上脉冲偏压进行调节，偏压固定在-350V，占空比调节范围在0.162-0.864之间。”

潘秋冰深呼吸一口气，看向陈灵婴，二人对视，

“沉积用玻璃片首先在丙酮和酒精中分别超声15min，然后用去离子水冲洗，最后用氮气吹干待用。”

“如果不出意外的话，实验成功。”

潘秋冰看起来很严肃，不知道怎么回事陈灵婴突然想逗逗她，

“那出了意外实验失败了怎么办？”

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